比如碳基芯片，它就不需要光刻机。
当下的光刻机已经可以生产5nm工艺芯片。
可是，这已经接近物理极限。
想要进一步突破，太难了，台积电3nm芯片最快也要到2022年才能量产。
虽然说ASML已经设计好了1nm的光刻机，可距离量产还有一段时间。”
林毅稍作停顿，随后继续道：“而且，硅基芯片在20nm以后，芯片漏电情况很严重。
华人科学家胡正明发明的FinFET技术，成功打破摩尔定律，使得芯片工艺才得以继续突破。
不过，胡正明教授认为，5nm左右就是物理极限，再往前进漏电状况会加剧，芯片能耗会加剧。
当下的5nm芯片，已经出现此类问题。
比如高通骁龙888、苹果A14和华维海思麒麟9000，在功耗方面都有‘翻车’的迹象。
从物理学和统计学角度来看，硅基芯片的终点一定会到来，极限在1nm左右。”
“大唐的科学家正在想别的办法，比如寻找硅之外的新材料—石墨烯。
以此为基础，打造碳基芯片。
碳基芯片有两个方向：碳纳米管芯片和石墨烯芯片。
而且，石墨烯芯片可以做到1nm以下。
同样的工艺制程，石墨烯芯片性能会更强，功耗会更低。
目前，盛唐科技已经可以生产14nm的石墨烯芯片。
假设我们可以量产石墨烯芯片。
在当前的工艺条件下，石墨烯芯片的实际表现会超过台积电5nm芯片。
最关键的是它不需要光刻机。”
林毅的这番话，让任飞十分震惊。
任飞激动的说道：“好，非常好！
要知道，华夏拥有世界上最优秀的石墨烯方面的物理学专家。
我相信如果华夏和大唐进行合作，真的有希望实现弯道超车。”
林毅这时主动伸过手来，双方紧握双手，彼此心情都十分激动。
前世，华夏让花旗国在光刻机和芯片方面卡脖子的事情让林毅历历在目。
这一世，他发誓再也不会让这种事情发生。
所以，提前布局芯片领域。
联合华维进行技术研发，实现技术上的弯道超车。
让花旗国和一众西方国家吃瘪，这是林毅非常愿意干的事情。
“小林，这里不是说话的地方。
咱们就这样约定了，具体细节咱们让专业团队进行。
你啥时候有空，去华维访问一下，给我们提提宝贵意见。
同时，牵头让大唐科技和华维签约共同进行芯片领域的技术研发。”
林毅道：“行，这个没有问题。
我有一个想法，咱们双方可以成立一个专门的芯片科技公司。”
任飞道：“这个可以有。公司名字就叫华唐科技，我们占股45%，你们55%咋样？”。
林毅表示赞同。
就在林毅和任飞聊的热火朝天之时，一个不合时宜的声音传了过来。
来人正是花旗国驻华大使—布莱斯。
二人见状，立刻终止了交流。
他们可不想被花旗国知道后横插一杠子。
